KURAGE online | スマホ の情報 > 同等サイズのGaN HEMTよりも低いオン抵抗を実現したMOSFET:スマホの急速充電回路など向け 投稿日:2025年4月16日 ロームは、パッケージの外形寸法が2.0×2.0mmと小さく、オン抵抗が2.0mΩ(代表値)のN型30V耐圧コモンソース構成のMOSFET「AW2K21」を開発、量産を始めた。関連キーワードはありません 続きを確認する