IBMとSamsung、垂直トランジスタ設計によるブレイクスルーを発表 「スマホの充電は ... - ITmedia

IBMはSamsungとの強力で半導体設計のブレイクスルーを実現したと発表した。「Vertical-Transport Nanosheet Field Effect Transistor」（VTFET）と呼ぶ新た