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IBMとSamsung、垂直トランジスタ設計によるブレイクスルーを発表 「スマホの充電は ... - ITmedia
2021/12/16 IBMとSamsung, ITmedia IBM, Samsung, Vertical-Transport Nanosheet Field Effect Transistor, VTFET, ブレイクスルー, 半導体設計
IBMはSamsungとの強力で半導体設計のブレイクスルーを実現したと発表した。「Vertical-Transport Nanosheet Field Effect Transistor」（VTFET）と呼ぶ新た